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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-EP-16
类型	MMIC Amplifier
技术	GaAs
工作频率	23 GHz to 33 GHz
P1dB - 压缩点	-
增益	-
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	-
测试频率	-
OIP3 - 三阶截点	-
工作电源电流	81 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC578G
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	10 dB
湿度敏感性	Yes
Pd-功率耗散	670 mW
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	100
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大	5.5 V
电源电压-最小	4.5 V

商品其它信息

优势价格，HMC578LC3BTR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PXV1220S-9DBN7-T	Susumu	无线和射频半导体	PDF数据手册	衰减器 9.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW	1,000:¥71.4612	参考库存:51223
RF6519TR13	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频前端 868 - 928 MHz, 4.2V 27 dBm Tx P1dB	2,500:¥16.1364 5,000:¥13.447	参考库存:51226
CG7594AS	Cypress Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU RF Companion Microcontrollers	9,000:¥3.7855	参考库存:51229
D1011UK	Semelab / TT Electronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-500MHz SE	100:¥171.5114 250:¥170.8108 500:¥170.4266	参考库存:51232
PTVA127002EV-V1-R250	Wolfspeed / Cree	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥7,143.2046	参考库存:51235