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无线和射频半导体
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D2211UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-7.2V-1GHz SE
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
7 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DBC1
配置
Single
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
70 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2211UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC629ALP4E
Analog Devices
无线和射频半导体
衰减器 衰减器
1:¥125.0232
10:¥114.9549
25:¥110.1863
100:¥97.1235
参考库存:1100
ADF4154BRUZ-RL7
Analog Devices
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Fractional-N Freq Synthesizer
1:¥45.1774
10:¥40.341
25:¥36.273
50:¥34.578
1,000:¥23.2102
参考库存:1194
AF0603T01ECAC7
AVX
无线和射频半导体
衰减器 0603 1dB
1:¥43.7197
10:¥42.9513
20:¥40.8834
50:¥40.1828
参考库存:1202
MAX19996ETP+
Maxim Integrated
无线和射频半导体
上下转换器 High-Gain 2GHz to 3.9GHz Downconv
1:¥167.8954
10:¥159.5221
25:¥111.9604
50:¥89.2135
参考库存:1164
MAX2055EUP+TD
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频混合器 Variable-Gain Diff ADC Driver/Amp
1:¥91.982
10:¥86.8292
25:¥69.4611
50:¥66.0033
2,500:¥51.0986
参考库存:39559
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