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无线和射频半导体
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D1011UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-500MHz SE
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17151.14
250
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¥170.4266
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
5 A
Vds-漏源极击穿电压
70 V
增益
13 dB
输出功率
10 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
高度
2.18 mm
长度
5.08 mm
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
4.06 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D1011UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ADL5602ARKZ-R7
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 50MHz-4.0GHz RF/IF Gain Block
1:¥33.8887
10:¥30.2727
25:¥27.2782
50:¥25.9674
1,000:¥17.4472
参考库存:3727
LA72910V-TLM-H
ON Semiconductor
无线和射频半导体
调节器/解调器 FM MODULATOR DEMODULATOR
1:¥27.8884
10:¥23.6622
100:¥20.5208
250:¥19.5151
2,000:¥14.0572
参考库存:2923
HMC786LP4E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频混合器 mix, 900MHz, BiCMOS
1:¥163.8952
10:¥150.6855
25:¥144.4592
100:¥127.2493
参考库存:1684
BGU8053X
NXP Semiconductors
无线和射频半导体
射频放大器 Low noise high linearity amplifier
1:¥19.2891
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
2,000:¥8.8366
参考库存:5359
BA679S-GS08
Vishay Semiconductors
无线和射频半导体
PIN 二极管 30 Volt 9kohm
1:¥3.5369
10:¥2.4521
100:¥1.6498
500:¥1.3334
1,000:¥0.99892
2,500:¥0.99892
参考库存:24491
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