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无线和射频半导体
BFP 650 H6327参考图片

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BFP 650 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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库存:3,440(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥3.0171
30.171
100
¥1.8419
184.19
1,000
¥1.4238
1423.8
3,000
¥1.2091
3627.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP650
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
150 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
37 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP650H6327XTSA1 BFP65H6327XT SP000750406
单位重量
31 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 650 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 NT3H2111W0FHK/XQFN8(U)///REEL 7 Q3 NDP
1:¥6.3732
10:¥5.4353
100:¥4.1697
500:¥3.6838
4,000:¥2.5764
参考库存:16755
无线和射频半导体
射频放大器 DC-5GHz NF 3.8dB Gain 12.9dB
1:¥11.6842
25:¥8.7575
100:¥6.8365
250:¥5.6839
3,000:¥4.3844
参考库存:3698
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU PN7360AUHN/HVQFN64//C300/TRAY SINGLE DP BAKEABLE
1:¥64.4665
10:¥58.2402
25:¥55.5508
100:¥48.251
参考库存:3846
无线和射频半导体
射频放大器 45-1218MHz Pwr Dblr Hybrid GaAs/GaN
1:¥327.1802
25:¥308.1284
参考库存:3359
无线和射频半导体
射频放大器 1.5-4.0GHz NF .7dB Gain 19dB
1:¥52.9405
25:¥40.567
100:¥31.6626
250:¥26.2047
2,500:¥20.5886
参考库存:4610
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