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无线和射频半导体
BFP 650 H6327参考图片

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BFP 650 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥3.0171
30.171
100
¥1.8419
184.19
1,000
¥1.4238
1423.8
3,000
¥1.2091
3627.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP650
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
150 mA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
37 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP650H6327XTSA1 BFP65H6327XT SP000750406
单位重量
31 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 650 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Max CW 4 Watts Max. Pk Pwr 125W
1:¥199.784
5:¥195.8629
10:¥194.7894
25:¥179.7265
参考库存:3219
无线和射频半导体
射频放大器 RF SI MMIC-Amp SIEGET 25 Tech
1:¥6.5314
10:¥5.4579
100:¥3.5256
1,000:¥2.825
3,000:¥2.3843
参考库存:8486
无线和射频半导体
调节器/解调器 700MHz-2.7GHz Direct Up-Cnvrsn Quadrtre
1:¥80.9871
10:¥73.5404
25:¥69.0769
50:¥66.5457
1,000:¥47.2566
参考库存:4040
无线和射频半导体
射频放大器 300MHz - 2.5GHz SiGe Ultra-Low-Noise
1:¥28.3517
10:¥26.7358
25:¥21.4361
50:¥20.3626
2,500:¥12.6786
参考库存:5660
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 NPN 10V 150mA 4GHZ
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
1,000:¥4.181
参考库存:7859
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