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无线和射频半导体
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D2019UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 2.5W-28V-1GHz SE
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¥131.5546
13155.46
250
¥131.0122
32753.05
500
¥130.7071
65353.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13 dB
输出功率
2.5 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
配置
Single
高度
2.18 mm
长度
5.08 mm
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
宽度
4.06 mm
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
17.5 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 5 V
商品其它信息
优势价格,D2019UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RFID应答器 Extension Cable 50m
1:¥7,101.8579
参考库存:1277
无线和射频半导体
射频放大器 50MHz-4.0GHz RF/IF Gain Block
1:¥33.8887
10:¥30.2727
25:¥27.2782
50:¥25.9674
1,000:¥17.4472
参考库存:2240
无线和射频半导体
衰减器 3.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW
1:¥190.2581
10:¥163.3641
25:¥147.1486
100:¥128.4019
200:¥112.7966
参考库存:1350
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥156.8327
5:¥155.2168
10:¥144.6852
25:¥138.1538
参考库存:1491
无线和射频半导体
射频收发器 Low-Power 2.4 GHz 射频收发器
1:¥21.2892
10:¥19.1309
100:¥15.594
250:¥14.6787
参考库存:2667
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