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无线和射频半导体
HMC369LP3E参考图片

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HMC369LP3E

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 X2 Active mult, 9.9 - 12.7 GHz Fout
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库存:18,679(价格仅供参考)
数量单价合计
46
¥131.4755
6047.873
100
¥124.865
12486.5
250
¥119.102
29775.5
500
¥113.4181
56709.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-16
类型
Multiplier
技术
GaAs
工作频率
12.7 GHz
P1dB - 压缩点
-
增益
-
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
-
测试频率
-
OIP3 - 三阶截点
-
工作电源电流
46 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC369
封装
Cut Tape
频率范围
9.9 GHz to 12.7 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
2 Channel
输入返回损失
17 dB
Pd-功率耗散
440 mW
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
5.5 V
电源电压-最小
4.5 V
单位重量
237 mg
商品其它信息
优势价格,HMC369LP3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管 Cj=.35pF 100Volt -65C +175C
100:¥13.447
300:¥12.0684
500:¥11.3678
1,000:¥9.605
2,500:¥9.0626
参考库存:4932
无线和射频半导体
PIN 二极管 SWITCH BAND 35V
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.62263
参考库存:10560
无线和射频半导体
射频放大器 31.5 dB Range, 0.5 dB Step Size VGA
1:¥78.535
10:¥70.6928
25:¥66.4666
50:¥62.4664
1,500:¥50.6353
参考库存:3866
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
1:¥1,081.6021
5:¥1,060.392
10:¥1,010.9884
25:¥989.6992
参考库存:3788
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-3.0GHz ISO 22dB IL <.4dB @ 1900MHz
1:¥13.6052
10:¥10.9158
100:¥8.3733
500:¥7.3789
3,000:¥5.0059
参考库存:4762
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