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无线和射频半导体
CGHV1J070D-GP4参考图片

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CGHV1J070D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
70 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
10 MHz to 18 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV1J070D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频前端 2.4-2.5GHz FEM WiFi 802.11b/g/n BT
100:¥14.9838
200:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥9.9892
2,500:¥7.9891
参考库存:28546
无线和射频半导体
射频前端 DUAL BAND FEM
3,000:¥6.2489
6,000:¥6.0116
参考库存:12617
无线和射频半导体
RF 开关 IC 6-14GHz SPDT HMIC IL @ 12GHz .65dB
25:¥356.6167
75:¥345.78
参考库存:28551
无线和射频半导体
衰减器 6-bit DAT with 0.25dB LSB, DC-6GHz
500:¥106.8076
参考库存:28554
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S200W02S/CFM2F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥650.2924
参考库存:28557
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