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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	Die
类型	Power Amplifier
技术	GaAs
工作频率	27 GHz to 31.5 GHz
P1dB - 压缩点	28 dBm
增益	14 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	-
OIP3 - 三阶截点	37 dBm
工作电源电流	900 mA
系列	HMC-APH460G
封装	Gel Pack
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	7 dB
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	25
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits

商品其它信息

优势价格，HMC-APH460的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
A3T18H360W23SR6	NXP Semiconductors	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H360W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP	1:¥877.3546 5:¥861.2182 10:¥822.414 25:¥795.068 100:¥740.2743 150:¥678.339	参考库存:42309
VRF141MP	Microchip / Microsemi	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥744.8847 2:¥721.7536 5:¥721.5276 10:¥698.3174	参考库存:3870
CY7B994V-2BBI	Cypress Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	锁相环 - PLL 3.3V 200MHz 10 IND Programable	1:¥442.3724 5:¥429.8407 10:¥410.1674 25:¥395.6469	参考库存:3978
NLB-400-SR	Qorvo	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频放大器 DC-6GHz Gain 15.5dB P1dB 12dBm@2GHz	1:¥26.9731 25:¥20.6677 100:¥16.1364	参考库存:3917
BF 998 E6327	Infineon Technologies	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA	1:¥3.3787 10:¥2.6329 100:¥1.4238 1,000:¥1.06785 3,000:¥0.92208 9,000:¥0.86106	参考库存:10067