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无线和射频半导体
HMC-ALH444参考图片

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HMC-ALH444

  • Analog Devices / Hittite
  • 新批次
  • 射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 1 - 12 GHz
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数量单价合计
50
¥542.7955
27139.775
100
¥521.1334
52113.34
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
射频放大器
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
类型
RF Amplifier
技术
GaAs
工作频率
12 GHz
P1dB - 压缩点
19 dBm
增益
17 dB
工作电源电压
5 V
NF—噪声系数
1.75 dB
测试频率
-
OIP3 - 三阶截点
28 dBm
工作电源电流
55 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 85 C
系列
HMC-ALH444G
封装
Gel Pack
频率范围
1 GHz to 12 GHz
商标
Analog Devices / Hittite
通道数量
1 Channel
输入返回损失
10 dB
产品类型
RF Amplifier
工厂包装数量
50
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格,HMC-ALH444的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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