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无线和射频半导体
A2T23H200W23SR6参考图片

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A2T23H200W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T23H200W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:17,014(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥521.5854
521.5854
5
¥511.9804
2559.902
10
¥498.7707
4987.707
25
¥488.9284
12223.21
150
¥433.5358
65030.37
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.8 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.5 dB
输出功率
51 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935347117128
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
优势价格,A2T23H200W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 3.4-3.8GHz SiGe Predriver
1:¥27.7415
10:¥26.3516
25:¥20.2835
50:¥17.289
参考库存:1959
无线和射频半导体
射频接收器 500MHz Observation Receiver subsystem
1:¥1,336.4736
5:¥1,302.1329
10:¥1,250.797
25:¥1,225.824
参考库存:1616
无线和射频半导体
上下转换器 SiGe 1700-2200MHz Downconversion Mixer
1:¥117.4861
10:¥107.9602
25:¥87.2134
250:¥81.2244
参考库存:1651
无线和射频半导体
射频放大器 1 to 6000 MHz18dB RF GainBlockPwrdown Pin
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.119
500:¥6.2941
3,000:¥4.407
参考库存:40068
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 6.2 GHz Fractional-N Freq Synthesizer
1:¥48.9516
10:¥44.0248
25:¥41.4145
50:¥38.9624
1,500:¥26.668
参考库存:3118
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