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无线和射频半导体
PXAC200902FC-V1-R0参考图片

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PXAC200902FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:30,568(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥408.8679
20443.395
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
增益
17.2 dB
输出功率
90 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PXAC200902FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Wide Band Microwave Frac-Integer-N Integrated Synthesizer
1:¥129.0912
10:¥118.7178
25:¥113.8023
100:¥100.1971
参考库存:14967
无线和射频半导体
RFID应答器 NTAG213 NFC Forum Type 2 Tag
79,000:¥0.69156
参考库存:14970
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU RF+MCU 8051 25 MHz 16 kB +13 dBm
1:¥33.7305
10:¥31.8095
25:¥30.8942
50:¥29.9676
参考库存:14973
无线和射频半导体
射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4
1:¥50.4884
10:¥45.1096
25:¥40.6461
100:¥37.0414
参考库存:14976
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 90Watt Gain 14dB
1:¥751.111
5:¥689.2548
10:¥618.562
25:¥547.8692
参考库存:14979
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