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无线和射频半导体
D5001UK参考图片

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D5001UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-50V-175MHz SE
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数量单价合计
1
¥428.383
428.383
10
¥378.2788
3782.788
25
¥343.1697
8579.2425
50
¥321.8805
16094.025
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
16 dB
输出功率
20 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DA
配置
Single
工作频率
175 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
Pd-功率耗散
50 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格,D5001UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频放大器 10-500MHz NF 1.7dB Gain 20.5dB
1:¥899.5704
参考库存:5149
无线和射频半导体
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1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7628
1,000:¥1.3673
3,000:¥1.1639
参考库存:8150
无线和射频半导体
衰减器
1:¥1,267.1707
5:¥1,229.7451
10:¥1,192.5568
25:¥1,155.2894
参考库存:43605
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
1:¥3,146.7562
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1:¥25.5832
25:¥19.2891
100:¥15.0629
参考库存:5257
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