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无线和射频半导体
TGF2929-HM参考图片

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TGF2929-HM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
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数量单价合计
25
¥2,600.5707
65014.2675
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.8 V
Id-连续漏极电流
7.2 A
输出功率
132 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
140 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
DC to 3.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
TGF
商标
Qorvo
开发套件
TGF2929-HM EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1135635
商品其它信息
优势价格，TGF2929-HM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HMC1096LP3E
Analog Devices / Hittite
无线和射频半导体
射频无线杂项 Interger
1:¥312.6597
5:¥303.8231
10:¥291.6869
25:¥270.7028
参考库存:2147
MAAM-010373-TR1000
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 50-1100MHZ 75 Ohm Gain 22dB NF 2.2dB
1:¥32.7361
10:¥25.2781
100:¥22.9729
250:¥20.8259
1,000:¥15.2098
参考库存:2255
APD1505-000
Skyworks Solutions, Inc.
无线和射频半导体
PIN 二极管 Rs=2.5 Ohms Cj=.12pF Rated 200V
1:¥15.7522
10:¥14.1363
25:¥12.8368
100:¥11.3678
参考库存:2302
MAALSS0042TR-3000
MACOM
无线和射频半导体
射频放大器 1550-1600MHz Gain 27dB
1:¥18.8258
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
3,000:¥7.9891
参考库存:3306
SW-313-PIN
MACOM
无线和射频半导体
RF 开关 IC
1:¥1,408.7032
25:¥1,163.2785
50:¥930.6115
100:¥793.147
参考库存:2119
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