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无线和射频半导体
TGF2929-HM参考图片

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TGF2929-HM

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN
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数量单价合计
25
¥2,600.5707
65014.2675
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.4 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 2.8 V
Id-连续漏极电流
7.2 A
输出功率
132 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
140 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Waffle
配置
Single
工作频率
DC to 3.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
TGF
商标
Qorvo
开发套件
TGF2929-HM EVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
零件号别名
1135635
商品其它信息
优势价格，TGF2929-HM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RS14100-SBT0-140F-CA0
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210:¥136.617
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