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无线和射频半导体
MRF085HR5参考图片

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MRF085HR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel
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数量单价合计
1
¥1,121.5589
1121.5589
5
¥1,099.7386
5498.693
10
¥1,063.4656
10634.656
25
¥1,018.4351
25460.8775
50
¥1,004.457
50222.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
210 mA
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 133 V
增益
25.6 dB
输出功率
85 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-650H-4
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 1215 MHz
系列
MRF085H
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
235 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
零件号别名
935351494178
单位重量
0 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAX2371ETC+T
Maxim Integrated
无线和射频半导体
射频放大器 LNAs w/Step Attenuator & VGA
1:¥31.2784
10:¥29.5043
25:¥23.5944
50:¥22.4418
2,500:¥15.0629
参考库存:42612
MAAP-011139-DIE
MACOM
无线和射频半导体
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25:¥527.5857
50:¥488.4764
100:¥456.5087
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AD8432ACPZ-WP
Analog Devices
无线和射频半导体
射频放大器 Dual-CH Ultra Low Noise
1:¥26.894
10:¥23.9786
25:¥21.5943
50:¥20.5886
参考库存:2639
AT0603C09ECATB
American Technical Ceramics (ATC)
无线和射频半导体
衰减器 9db 1W 0603 DC to 20GHz
1:¥69.5402
10:¥63.6981
25:¥57.9351
50:¥54.9406
500:¥43.4146
参考库存:3117
AGR09045EF
Advanced Semiconductor, Inc.
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:41073
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