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无线和射频半导体
GTVA261701FA-V1-R2参考图片

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GTVA261701FA-V1-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:26,091(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥1,097.7385
274434.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
7.5 A
输出功率
170 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37265J-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2620 MHz to 2690 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,GTVA261701FA-V1-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
锁相环 - PLL Freq Synthesizer
1:¥42.6462
10:¥38.0358
25:¥34.2729
50:¥32.657
1,000:¥21.8994
参考库存:1216
无线和射频半导体
射频放大器 InGaP HBT Gain Block amp SMT, DC - 6 GHz
1:¥31.1202
10:¥28.0466
50:¥28.0466
100:¥22.9729
250:¥21.8203
参考库存:1235
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC SmartConnect ATWILC1000B-MU-T Module - SmartConnect ATWILC1000B-MU-T Module
1:¥108.4235
10:¥98.0501
25:¥90.287
50:¥88.7502
参考库存:1187
无线和射频半导体
锁相环 - PLL 3.3V 80MHz 8 TTL IND Programable
1:¥238.9724
5:¥227.6724
10:¥221.0732
25:¥203.1627
750:¥164.9009
参考库存:1664
无线和射频半导体
射频放大器 GaAs HEMT WBand lo Noise amp 22-26.5GHz
2:¥775.9258
6:¥750.9528
10:¥735.9012
26:¥705.9336
参考库存:39471
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