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无线和射频半导体
BFP 720 H6327参考图片

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BFP 720 H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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10
¥3.3448
33.448
100
¥2.0453
204.53
1,000
¥1.582
1582
3,000
¥1.356
4068
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP720
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
25 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
45 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
100 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP720H6327XTSA1 BFP72H6327XT SP000750410
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPC9314TR13
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