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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Analog Devices Inc.
产品种类	射频放大器
RoHS	是
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-16
类型	Low Noise Amplifier
技术	GaAs
工作频率	700 MHz to 1 GHz
P1dB - 压缩点	21.5 dBm
增益	14.5 dB
工作电源电压	5 V
NF—噪声系数	0.7 dB
OIP3 - 三阶截点	36 dBm
工作电源电流	73 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
系列	HMC376
封装	Cut Tape
商标	Analog Devices / Hittite
通道数量	1 Channel
输入返回损失	13 dB
Pd-功率耗散	0.769 W
产品类型	RF Amplifier
工厂包装数量	50
子类别	Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量	57.100 mg

商品其它信息

优势价格，HMC376LP3E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRF6V3090NBR1	NXP / Freescale	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4	500:¥382.1999	参考库存:15029
CYW20733A3KFB1G	Cypress Semiconductor	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU Bluetooth BLE and IEEE 802.15.4	1:¥25.8205 10:¥23.052 25:¥20.7468 100:¥18.9049	参考库存:15032
CC2620F128RSMT	Texas Instruments	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频微控制器 - MCU 2.4 GHz SoC supporting 802.15.4 RF4CE	250:¥33.1203 500:¥30.0467 1,000:¥25.3572 2,500:¥24.0464	参考库存:15035
SD3933	STMicroelectronics	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.	1:¥1,081.6021 5:¥1,060.392 10:¥1,010.9884 25:¥989.6992	参考库存:15038
NE5550979A-EV04-A	CEL	无线和射频半导体	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz	1:¥960.50	参考库存:15041