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无线和射频半导体
VRF3933参考图片

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VRF3933

  • Microchip / Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥891.344
891.344
2
¥863.6816
1727.3632
5
¥863.3765
4316.8825
10
¥835.5559
8355.559
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
260 V
增益
28 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
工作频率
30 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
8 mS
Pd-功率耗散
648 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
优势价格,VRF3933的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,451.9709
2:¥1,417.0878
5:¥1,396.341
10:¥1,376.5095
参考库存:3226
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:17235
无线和射频半导体
RF 开关 IC DC-4 GHZ Hi Isolation Switch
1:¥51.9461
10:¥46.9515
50:¥44.7932
100:¥38.8833
参考库存:3578
无线和射频半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.3844
10:¥3.6386
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:6895
无线和射频半导体
上下转换器 SiGe 400-1000MHz Downconversion Mixer
1:¥117.4861
10:¥107.9602
25:¥91.4396
100:¥80.3769
1,000:¥73.8455
参考库存:3264
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