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无线和射频半导体
CGH40180PP参考图片

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CGH40180PP

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
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1
¥3,146.7562
3146.7562
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
19 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
24 A
输出功率
220 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440199
封装
Tube
应用
-
配置
Dual
高度
4.34 mm
长度
29 mm
工作频率
1 GHz to 2.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
通道数量
2 Channel
-
开发套件
CGH40180PP-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH40180PP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
RF 开关 IC CMOS SWITCH
1:¥4.3844
10:¥3.8307
100:¥2.3278
1,000:¥1.8645
4,500:¥1.7515
参考库存:3710
无线和射频半导体
射频放大器 800-900MHz 4W Small Cell PAE 42%
1:¥85.5184
10:¥77.3033
25:¥71.2352
50:¥67.1559
2,500:¥49.4036
参考库存:3376
无线和射频半导体
射频放大器 2.7-3.7GHz 18W Gain 32dB GaN
1:¥1,452.276
25:¥1,106.496
100:¥845.24
参考库存:3090
无线和射频半导体
射频放大器 Power Amplifier, 10W, 20-2500MHz, 5x6mm-DFN
1:¥298.7494
5:¥292.8395
10:¥291.2236
25:¥268.7818
参考库存:3075
无线和射频半导体
RF 开关 IC SPDT SWITCH (AS179-92LFT)
1:¥10.8367
10:¥9.7632
25:¥8.8366
100:¥7.8422
3,000:¥4.9833
参考库存:5927
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