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无线和射频半导体
HMC1055LP2CETR参考图片

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HMC1055LP2CETR

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库存:3,343(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.115
40.115
10
¥36.0357
360.357
100
¥29.5834
2958.34
250
¥28.0466
7011.65
500
¥25.199
12599.5
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Analog Devices Inc.
产品种类
RF 开关 IC
RoHS
开关数量
Single
开关配置
SPST
工作频率
DC to 4 GHz
介入损耗
1.8 dB
关闭隔离—典型值
28 dB
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-EP-8
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
HMC1055
技术
GaAs
商标
Analog Devices / Hittite
最小工作温度
- 40 C
Pd-功率耗散
880 mW
产品类型
RF Switch ICs
工厂包装数量
500
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
电源电压-最大
5 V
电源电压-最小
1.2 V
单位重量
37.400 mg
商品其它信息
优势价格,HMC1055LP2CETR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
PIN 二极管
25:¥888.1913
50:¥875.5127
100:¥843.7823
参考库存:55415
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥512.6019
参考库存:55418
无线和射频半导体
RF片上系统 - SoC Mighty Gecko SoC QFN68 SubG 19 dB mesh multi-protocol 1024 kB 256 kB (RAM) 46GPIO
2,500:¥79.9927
参考库存:55421
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 30W-12.5V-175MHz SE
50:¥445.1296
100:¥438.2931
参考库存:55424
无线和射频半导体
衰减器 10.0dB +/-0.5dB 50ohm 63mW
1,000:¥71.4612
参考库存:55427
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  • 价格优势
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