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无线和射频半导体
QPM1002TR7参考图片

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QPM1002TR7

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频前端 8.5-10.5GHz GaN Transmit/Receive Module
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库存:50,639(价格仅供参考)
数量单价合计
750
¥592.0522
444039.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频前端
RoHS
类型
RF Front End
工作频率
8.5 GHz to 10.5 GHz
NF—噪声系数
2.2 dB
工作电源电压
10 V
最大工作温度
+ 100 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
QFN-24
封装
Reel
系列
QPM1002
技术
GaN SiC
商标
Qorvo
增益
25 dB, 33 dB
开发套件
QPM1002EVB1
最小工作温度
- 55 C
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF Front End
工厂包装数量
750
子类别
Wireless & RF Integrated Circuits
商品其它信息
优势价格,QPM1002TR7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
无线和射频半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
10:¥245.2778
参考库存:1902
无线和射频半导体
射频检测器 100kHz to 1GHz RF Pwr Detector
1:¥29.1992
25:¥19.3682
100:¥15.9782
250:¥15.2098
500:¥13.8312
1,500:¥13.5261
参考库存:6127
无线和射频半导体
RF 开关 IC 20MHz-6GHz SP4T GaAs IL .45dB @ 1GHz
1:¥12.6786
10:¥11.4469
25:¥10.3734
100:¥9.2208
3,000:¥7.571
参考库存:7505
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
1:¥122.6389
10:¥112.7288
25:¥107.802
100:¥95.2025
500:¥82.2188
参考库存:2298
无线和射频半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
1:¥88.2869
10:¥79.7554
25:¥69.5402
100:¥66.0824
1,000:¥48.6352
参考库存:2323
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