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分立半导体
A2T18S261W12NR3参考图片

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A2T18S261W12NR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18S261W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
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数量单价合计
1
¥624.325
624.325
5
¥612.1888
3060.944
10
¥591.9731
5919.731
25
¥566.921
14173.025
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
18.2 dB
输出功率
56 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-880X-2L2L
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935338749528
单位重量
3.796 g
商品其它信息
优势价格,A2T18S261W12NR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.6388
500:¥6.7461
2,500:¥4.7234
10,000:查看
参考库存:7530
分立半导体
MOSFET MOSFT PCh -40V -6.2A 41mOhm 53nC
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
4,000:¥2.938
参考库存:12210
分立半导体
稳压二极管 5.6Volt 0.2 Watt 2%
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
3,000:¥0.43844
6,000:查看
参考库存:22487
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Voltage
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,000:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:33081
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=40V IF=350mA IR=12uA
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:73211
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