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分立半导体
SGW25N120参考图片

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SGW25N120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A
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库存:28,996(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥66.2406
66.2406
10
¥59.8561
598.561
25
¥57.0876
1427.19
100
¥49.5618
4956.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGW25N120
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
46 A
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
SGW25N120FKSA1 SP000012565
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SGW25N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
1,000:¥15.594
2,000:查看
参考库存:2070
分立半导体
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥82.4448
10:¥75.8456
25:¥72.6929
100:¥64.0032
参考库存:1295
分立半导体
MOSFET 40V Vds 16V Vgs SO-8
1:¥17.2099
10:¥14.2945
100:¥11.0627
500:¥9.7632
1,000:¥8.0682
2,500:¥8.0682
参考库存:4625
分立半导体
MOSFET MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
1:¥26.4307
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
500:¥16.5206
参考库存:3120
分立半导体
MOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2376
500:¥5.5144
1,000:¥4.3618
参考库存:6499
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