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分立半导体
TK6P65W,RQ参考图片

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TK6P65W,RQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Power MOSFET N-Channel
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库存:25,649(价格仅供参考)
数量单价合计
2,000
¥3.7629
7525.8
10,000
¥3.616
36160
24,000
¥3.503
84072
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5.8 A
Rds On-漏源导通电阻
890 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK6P65W
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
34 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,TK6P65W,RQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
15,000:¥0.62263
22,500:¥0.56048
45,000:¥0.49946
97,500:¥0.46104
参考库存:27422
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,40V, SGL SCHOTTKY RECTIFIER ISOLATED
2,000:¥3.1527
参考库存:27425
分立半导体
整流器 20A, 100V, 35NS, SINGLE RECTIFIER ISOLATED
2,000:¥4.068
4,000:¥3.9776
10,000:¥3.6499
24,000:¥3.503
参考库存:27428
分立半导体
整流器 16 Amp 200 Volt 125 Amp IFSM
2,000:¥3.4239
4,000:¥3.3448
10,000:¥3.0623
24,000:¥2.9493
参考库存:27431
分立半导体
稳压二极管 3.3 Volt 1 Watt 5%
20,000:¥0.42262
45,000:¥0.37629
100,000:¥0.3616
参考库存:27434
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