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分立半导体
IPW60R125P6XKSA1参考图片

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IPW60R125P6XKSA1

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库存：3,314(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.2672
33.2672
10
¥28.2726
282.726
100
¥24.5097
2450.97
250
¥23.278
5819.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
113 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
219 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS P6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPW60R125P6 SP001114656
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IPW60R125P6XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SJ6012NRP
Littelfuse
分立半导体
SCR 12A High Temp Thyristor
1:¥16.2155
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
1,000:¥7.571
参考库存:3770
DMP34M4SPS-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.1473
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.7347
1,000:¥3.7403
参考库存:6216
RFN3BM6SFHTL
ROHM Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 Fast Recvry 600V Vr TO-252(DPAK) 3A Io
1:¥6.3732
10:¥5.3223
100:¥3.4239
1,000:¥3.1414
2,500:¥2.8589
参考库存:5536
NVMFS5C430NLAFT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5484
500:¥6.667
1,500:¥4.6669
9,000:查看
参考库存:4942
NVMFS5C404NLWFAFT1G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET T6 40V HEFET
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,500:¥14.6787
参考库存:8092
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