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分立半导体
IPB80P04P4-05参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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IPB80P04P4-05

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2
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库存:1,730(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5205
14.5205
10
¥12.2944
122.944
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
1,000
¥7.1642
7164.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
151 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
65 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
73 ns
典型接通延迟时间
42 ns
零件号别名
IPB80P04P405ATMA1 IPB8P4P45XT SP000652618
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPB80P04P4-05的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A, 600V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.71416
50,000:¥0.63732
100,000:¥0.59212
参考库存:22186
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V 160A Schottky Recovery
40:¥463.8876
80:¥454.2826
120:¥438.8355
参考库存:22189
分立半导体
稳压二极管 .25W 5% Lw Noise/Lvl
10,000:¥1.3447
20,000:¥1.2769
50,000:¥1.243
参考库存:22192
分立半导体
整流器 1A, 50V, SUPER FAST SM RECTIFIER
20,000:¥0.68365
50,000:¥0.60681
100,000:¥0.56839
参考库存:22195
分立半导体
整流器 1200V 200A Si Super Fast Recovery
18:¥788.2202
36:¥751.4952
54:¥736.0481
108:¥709.4592
参考库存:22198
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