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分立半导体
VS-ST303C12LFJ1参考图片

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VS-ST303C12LFJ1

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • SCR模块 515 Amp 1200 Volt 995 Amp IT(RMS)
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库存:26,431(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,638.839
1638.839
5
¥1,599.4246
7997.123
10
¥1,559.6938
15596.938
25
¥1,537.8735
38446.8375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
SCR模块
RoHS
开启状态RMS电流 - It RMS
1.18 kA
不重复通态电流
7.95 kA
额定重复关闭状态电压 VDRM
1.2 kV
关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)
50 mA
开启状态电压
2.16 V
保持电流Ih最大值
600 mA
栅极触发电压-Vgt
3 V
栅极触发电流-Igt
200 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
安装风格
Threaded Insert
封装 / 箱体
TO-200AB (E-PUK)
封装
Bulk
最大转折电流 IBO
8.32 kA
电流额定值
620 A
商标
Vishay Semiconductors
电路类型
SCR
产品类型
SCR Modules
工厂包装数量
3
子类别
Thyristors
零件号别名
ST303C12LFJ1
单位重量
83 g
商品其它信息
优势价格,VS-ST303C12LFJ1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥18.7467
10:¥15.9104
100:¥12.7577
500:¥11.1418
参考库存:3969
分立半导体
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0738
500:¥6.2602
2,500:¥4.3844
10,000:查看
参考库存:9579
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.8203
参考库存:4298
分立半导体
MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
1,000:¥1.7628
3,000:¥1.7628
参考库存:6016
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS SOT563 RSTR XSTR TR
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥0.91417
4,000:¥0.791
参考库存:11102
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