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分立半导体
BSO110N03MSGXUMA1参考图片

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BSO110N03MSGXUMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.3449
53.449
100
¥3.4465
344.65
1,000
¥2.7685
2768.5
2,500
¥2.7685
6921.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
12.1 A
Rds On-漏源导通电阻
9.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
4.4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
4.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
零件号别名
BSO110N03MS BSO11N3MSGXT G SP000446062
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO110N03MSGXUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK
1,500:¥3.6838
3,000:¥3.277
10,500:¥3.1527
25,500:¥3.051
参考库存:52754
分立半导体
稳压二极管 BZX84W-B5V6 SC-70
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
参考库存:52757
分立半导体
桥式整流器 DFS GPP 1.5A 600V
1:¥4.8364
10:¥3.5934
100:¥2.4521
1,000:¥1.695
2,000:¥1.4464
参考库存:52760
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 BAV70W/SN/8/SOT323/SC-70
10,000:¥0.13108
30,000:¥0.12317
50,000:¥0.10735
100,000:¥0.09266
参考库存:52763
分立半导体
稳压二极管 BZX84W-B6V8 SC-70
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
参考库存:52766
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