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分立半导体
SSM3K357R,LF参考图片

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SSM3K357R,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.2148
22.148
100
¥1.2317
123.17
1,000
¥0.89948
899.48
3,000
¥0.77631
2328.93
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23F-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
650 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SSM3K357R
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
500 mS
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
3000 ns
典型接通延迟时间
990 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SK1859-E
Renesas Electronics
分立半导体
MOSFET MOSFET - Pb Free
1:¥50.7144
10:¥45.2565
25:¥40.7252
50:¥38.8833
参考库存:28099
1N5417/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
1:¥51.0986
10:¥46.0249
25:¥41.9569
100:¥37.8776
200:¥34.804
参考库存:28102
JANTX1N4984
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥178.9581
10:¥162.6748
25:¥150.4482
50:¥142.3122
参考库存:28105
JAN1N5614
Semtech
分立半导体
稳压二极管 D MET 1A STD 200V
1:¥75.6083
10:¥68.0034
25:¥62.0144
100:¥55.935
参考库存:28108
JANTX1N4944
Microsemi
分立半导体
整流器 UFR,FRR
1:¥87.2925
10:¥78.6028
25:¥71.6194
100:¥64.6247
参考库存:28111
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