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分立半导体
2DD1664R-13参考图片

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2DD1664R-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W 32Vceo
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3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
32 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
400 mV
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
280 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DD16
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.48 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
180 at 100 mA, 3 V
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格，2DD1664R-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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