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分立半导体
TPH1R712MD,L1Q参考图片

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TPH1R712MD,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
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库存：7,196(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥11.0627
110.627
100
¥8.7575
875.75
500
¥6.7461
3373.05
5,000
¥4.9607
24803.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
182 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH1R712MD
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
512 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
1620 ns
典型接通延迟时间
27 ns
单位重量
69 mg
商品其它信息
优势价格，TPH1R712MD,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S1WB(A)80-7072
Shindengen
分立半导体
桥式整流器 VRM=80 IFSM=30
2,000:¥4.407
10,000:¥4.1358
24,000:¥3.5821
参考库存:23802
VS-25ETS08STRR-M3
Vishay / Siliconix
分立半导体
整流器 New Input Diodes - D2PAK-e3
800:¥9.831
1,600:¥8.1473
3,200:¥7.5597
5,600:¥7.2885
参考库存:23805
SSA24-M3/61T
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,40V,SM SCHOTTKY RECT
10,800:¥0.68365
25,200:¥0.63054
参考库存:23808
BU1008A-M3/51
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 10A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE
1,000:¥6.8026
2,500:¥6.3393
5,000:¥6.1133
10,000:¥5.876
参考库存:23811
VB20150C-M3/8W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,150V,TRENCH SKY RECT.
2,400:¥5.876
3,200:¥5.4692
5,600:¥5.2658
10,400:¥5.0624
参考库存:23814
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