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分立半导体
FS450R17KE3参考图片

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FS450R17KE3

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库存:3,990(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5,452.024
5452.024
5
¥5,364.8106
26824.053
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1700 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
在25 C的连续集电极电流
605 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2250 W
封装 / 箱体
EconoPACK+
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
162 mm
宽度
150 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
4
子类别
IGBTs
零件号别名
FS450R17KE3BOSA1 SP000095941
商品其它信息
优势价格,FS450R17KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 500V 6A N-Channel
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2884
500:¥4.6669
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:6309
分立半导体
SCR模块 PHASE CONTROL THYRISTOR MODULE
1:¥1,870.1274
5:¥1,825.176
10:¥1,779.8404
25:¥1,754.8674
参考库存:46332
分立半导体
桥式整流器 200V 20A Glass Pass. Bridge Rectifier
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.4468
参考库存:5346
分立半导体
肖特基二极管与整流器 MEGA RCTFR 20V 1A
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
8,000:¥0.5989
24,000:查看
参考库存:16916
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 6A 100V TR
1:¥9.2208
10:¥7.8422
100:¥6.0003
500:¥5.2997
800:¥4.1923
参考库存:5797
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