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分立半导体
DMN3012LDG-7参考图片

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DMN3012LDG-7

  • Diodes Inc. / Pericom
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 1K
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数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0286
702.86
500
¥6.215
3107.5
1,000
¥4.9042
4904.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms, 6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.1 nC, 12.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
27 S, 46 S
下降时间
2.3 ns, 2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.7 ns, 3.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns, 12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 4.4 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
优势价格，DMN3012LDG-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPD50N04S3-09
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
1:¥7.1416
10:¥6.0681
100:¥4.6556
500:¥4.1132
2,500:¥2.8815
10,000:查看
参考库存:7943
FS25R12YT3
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 40A
20:¥437.6038
40:¥423.5466
60:¥423.4675
100:¥392.4264
参考库存:36091
GBU607
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桥式整流器 6A 1000V
1,000:¥3.277
2,000:¥2.9719
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分立半导体
肖特基二极管与整流器 Vr=20V Io=0.05A 2Pin
暂无价格
参考库存:36097
IKD10N60RAATMA2
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
2,500:¥6.8591
5,000:¥6.6105
10,000:¥6.3506
参考库存:36100
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