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分立半导体
CSD86330Q3D参考图片

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CSD86330Q3D

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET
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库存:19,566(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.2942
4147.1
2,500
¥6.4297
16074.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
4.8 nC, 9.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD86330Q3D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
52 S, 82 S
开发套件
CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679
下降时间
1.9 ns, 4.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns, 6.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.5 ns, 15.8 ns
典型接通延迟时间
4.9 ns, 5.3 ns
单位重量
64 mg
商品其它信息
优势价格,CSD86330Q3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY 100V 10A DO214AB
1:¥6.9947
10:¥5.8195
100:¥4.9494
250:¥4.3392
1,500:¥2.825
4,500:查看
参考库存:5571
分立半导体
稳压二极管 2.4 Volt 350mW 5%
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.80682
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.28476
参考库存:12044
分立半导体
IGBT 晶体管 600V 75A 100nA
1:¥78.6819
10:¥71.1561
25:¥67.8452
100:¥58.8617
参考库存:2927
分立半导体
肖特基二极管与整流器 200mA 30V
1:¥3.9211
10:¥2.9154
100:¥2.3278
500:¥1.8306
3,000:¥1.2543
6,000:查看
参考库存:7003
分立半导体
变容二极管 Varactor Diode 30 V 20mA
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:25208
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