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分立半导体
CSD86330Q3D参考图片

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CSD86330Q3D

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET
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数量单价合计
1
¥14.0572
14.0572
10
¥11.9102
119.102
100
¥9.5259
952.59
500
¥8.2942
4147.1
2,500
¥6.4297
16074.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LSON-CLIP-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
4.8 nC, 9.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.5 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD86330Q3D
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
52 S, 82 S
开发套件
CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679
下降时间
1.9 ns, 4.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns, 6.3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8.5 ns, 15.8 ns
典型接通延迟时间
4.9 ns, 5.3 ns
单位重量
64 mg
商品其它信息
优势价格,CSD86330Q3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:5804
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 100V Io/150mA 2.0 Amp IFSM
1:¥1.5368
10:¥1.09836
100:¥0.66105
500:¥0.5537
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:5603
分立半导体
整流器 800V 0.8A Fast Rectifier
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.75258
3,000:¥0.5763
参考库存:5514
分立半导体
MOSFET Small-signal MOSFET N-Channel
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
4,000:¥0.58421
参考库存:23407
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-13
1:¥1.07576
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
10,000:¥0.14577
20,000:查看
参考库存:21747
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