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分立半导体
RN1906(T5L,F,T)参考图片

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RN1906(T5L,F,T)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
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数量单价合计
1
¥2.4634
2.4634
10
¥1.5707
15.707
100
¥0.65314
65.314
1,000
¥0.44522
445.22
3,000
¥0.33787
1013.61
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
配置
Dual
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
0.1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
Pd-功率耗散
200 mW
系列
RN1906
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
商标
Toshiba
最大直流电集电极电流
100 mA
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，RN1906(T5L,F,T)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BTA204W-600D,135
WeEn Semiconductors
分立半导体
双向可控硅 TAPE13 3Q TRIAC
1:¥5.0737
10:¥4.0228
100:¥2.5312
1,000:¥1.8984
4,000:¥1.6159
参考库存:19964
BUK7E3R1-40E,127
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
参考库存:19967
DDZ6V8CQ-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 Tight Tolerance Zen
3,000:¥0.32318
9,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
45,000:¥0.24634
参考库存:19970
BLW85
Advanced Semiconductor, Inc.
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥553.248
10:¥461.04
25:¥414.936
50:¥368.832
参考库存:19973
DDZ9712T-7
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 150MW 28V
3,000:¥0.5537
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
参考库存:19976
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