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分立半导体
SIHG33N65E-GE3参考图片

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SIHG33N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:24,188(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.7145
52.7145
10
¥47.4826
474.826
25
¥43.2564
1081.41
100
¥39.0302
3903.02
250
¥35.8888
8972.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.6 A
Rds On-漏源导通电阻
95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
114 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
EF
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
71 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
56 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
32 ns
商品其它信息
优势价格,SIHG33N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥20.1366
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:5765
分立半导体
MOSFET 20V N channel Mosfet
1:¥4.7686
10:¥3.7629
100:¥2.5764
500:¥1.7628
2,500:¥1.1865
10,000:查看
参考库存:9903
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 RECOMMENDED ALT 755-EMH61T2R
1:¥3.5369
10:¥2.486
100:¥1.1413
1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:10650
分立半导体
桥式整流器 10 Amp 1000 Volt 220 Amp IFSM
1:¥10.7576
10:¥9.831
100:¥7.5823
500:¥5.6274
参考库存:5933
分立半导体
MOSFET TBD
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4071
500:¥5.6613
2,500:¥3.9663
10,000:查看
参考库存:5257
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