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分立半导体
CSD25404Q3T参考图片

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CSD25404Q3T

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET -20V, P-channel NexFET Pwr MOSFET
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库存:5,392(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.605
9.605
10
¥8.2264
82.264
100
¥6.3167
631.67
250
¥6.3167
1579.175
500
¥5.5822
2791.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-CLIP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
104 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
10.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
产品
Power MOSFET
系列
CSD25404Q3
晶体管类型
1 P-Channel
类型
P-Channel MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
47 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
44.500 mg
商品其它信息
优势价格,CSD25404Q3T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 BL Bipolar Discretes
1:¥2.3843
10:¥1.6159
100:¥0.67574
1,000:¥0.46104
参考库存:8591
分立半导体
MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V)
1:¥41.9569
10:¥33.7305
30:¥33.7305
100:¥30.736
250:¥27.7415
参考库存:1842
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 32V 0.5A SOT-323
1:¥2.6103
10:¥1.7741
100:¥0.73789
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.40002
参考库存:2107
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS LOW NOISE
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:2008
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:12737
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