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分立半导体
SIR846ADP-T1-GE3参考图片

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SIR846ADP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥17.4472
17.4472
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.831
4915.5
1,000
¥9.379
9379
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
63 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SIR846ADP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR846ADP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 1200V 410A
1:¥1,068.302
5:¥1,047.2501
10:¥998.4567
25:¥977.4839
参考库存:2055
分立半导体
IGBT 晶体管 EcoSPARK 320mJ 360V N-Chan Ignition
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
参考库存:2454
分立半导体
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.6218
500:¥5.7065
3,000:¥5.7065
参考库存:7556
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:3016
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SCR模块 1600 Volt 105 Amp 2094 Amp IFSM
1:¥374.595
5:¥364.6058
10:¥350.4695
参考库存:2071
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