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分立半导体
CSD87334Q3D参考图片

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CSD87334Q3D

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V Powerblock N ch MOSFET
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库存:5,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.2153
12.2153
10
¥10.4525
104.525
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0738
3536.9
2,500
¥4.9494
12373.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
8.3 mOhms, 8.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
8.3 nC, 8.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD87334Q3D
晶体管类型
1 N-channel
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
17 ns, 17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns, 7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns, 11 ns
典型接通延迟时间
4 ns, 4 ns
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格,CSD87334Q3D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 56 Volt 0.35W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
10,000:¥0.26103
20,000:查看
参考库存:49519
分立半导体
稳压二极管 6.8 Volt 0.35W 5%
1:¥1.7628
10:¥1.2091
100:¥0.5989
500:¥0.50737
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:49522
分立半导体
稳压二极管 68 Volt 0.2W 2% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:49525
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 0.225W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4012
100:¥0.68365
500:¥0.58421
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:49528
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 300 Volt 225mA 50ns Dual Common Cathode
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
3,000:¥0.37629
6,000:查看
参考库存:49531
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