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分立半导体
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VRF151

  • Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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数量单价合计
1
¥423.0833
423.0833
2
¥411.5573
823.1146
5
¥400.1782
2000.891
10
¥388.7313
3887.313
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
16 A
Vds-漏源极击穿电压
180 V
增益
22 dB
输出功率
150 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Box
工作频率
175 MHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
5 mS
Pd-功率耗散
300 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
商品其它信息
优势价格，VRF151的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TD210N12KOF
Infineon Technologies
分立半导体
分立半导体模块 1200V 410A
1:¥1,068.302
5:¥1,047.2501
10:¥998.4567
25:¥977.4839
参考库存:2055
FGI3236-F085
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
IGBT 晶体管 EcoSPARK 320mJ 360V N-Chan Ignition
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
参考库存:2454
SIR416DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.6218
500:¥5.7065
3,000:¥5.7065
参考库存:7556
BC859BW,115
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.3786
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23843
参考库存:3016
VS-VSKT105/16
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 1600 Volt 105 Amp 2094 Amp IFSM
1:¥374.595
5:¥364.6058
10:¥350.4695
参考库存:2071
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