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分立半导体
CSD19538Q3A参考图片

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CSD19538Q3A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-ch MOSFET
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库存:7,323(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1471
41.471
100
¥2.6555
265.55
1,000
¥2.1244
2124.4
2,500
¥1.9323
4830.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
14.4 A
Rds On-漏源导通电阻
61 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
4.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
3.15 mm
系列
CSD19538Q3A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns
典型接通延迟时间
5 ns
商品其它信息
优势价格,CSD19538Q3A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 28 Volt 0.5W 5%
1:¥2.147
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
10,000:¥0.26894
20,000:查看
参考库存:50125
分立半导体
稳压二极管 3.3 Volt 0.2W 5%
1:¥2.3843
10:¥1.5481
100:¥0.75258
500:¥0.64523
3,000:¥0.3842
6,000:查看
参考库存:50128
分立半导体
稳压二极管 4.7 Volt 0.5 Watt IR = 3uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:50131
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 0.5 Watt IR = 0.04uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:50134
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 0.2W 2% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:50137
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