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分立半导体
IPD350N06L G参考图片

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IPD350N06L G

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库存：5,222(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.1867
51.867
100
¥3.3448
334.48
1,000
¥2.6781
2678.1
2,500
¥2.26
5650
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPD350N06LGBTMA1 IPD35N6LGXT SP000443746
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD350N06L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N4120UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥81.8346
200:¥74.6139
500:¥69.7662
1,000:¥64.0032
参考库存:50437
JAN1N4372C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥60.0143
131:¥60.0143
200:¥55.1666
500:¥50.2511
1,000:¥43.7988
参考库存:50440
JAN1N5416/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥85.5184
250:¥77.9926
500:¥72.998
1,000:¥66.9299
参考库存:50443
JANTXV1N755C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥97.3608
148:¥97.3608
200:¥88.7502
500:¥83.0663
1,000:¥76.1507
参考库存:50446
JAN1N4122C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥76.9982
200:¥70.1504
500:¥65.6191
1,000:¥60.2403
参考库存:50449
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