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分立半导体
STGW30M65DF2参考图片

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STGW30M65DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
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数量单价合计
1
¥24.747
24.747
10
¥21.0519
210.519
100
¥18.2156
1821.56
250
¥17.289
4322.25
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
258 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW30M65DF2
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，STGW30M65DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N4120UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥81.8346
200:¥74.6139
500:¥69.7662
1,000:¥64.0032
参考库存:50437
JAN1N4372C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥60.0143
131:¥60.0143
200:¥55.1666
500:¥50.2511
1,000:¥43.7988
参考库存:50440
JAN1N5416/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥85.5184
250:¥77.9926
500:¥72.998
1,000:¥66.9299
参考库存:50443
JANTXV1N755C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥97.3608
148:¥97.3608
200:¥88.7502
500:¥83.0663
1,000:¥76.1507
参考库存:50446
JAN1N4122C-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥76.9982
200:¥70.1504
500:¥65.6191
1,000:¥60.2403
参考库存:50449
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