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分立半导体
IGW50N60TFKSA1参考图片

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IGW50N60TFKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
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数量单价合计
1
¥43.6406
43.6406
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1146
3211.46
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.3573
13678.65
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N60T IGW5N6TXK SP000054926
单位重量
5.420 g
商品其它信息
优势价格，IGW50N60TFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CGRC505-G
Comchip Technology
分立半导体
整流器 VR=600V, IO=5A
1:¥3.9211
10:¥2.8928
100:¥1.9662
1,000:¥1.356
3,000:¥1.1639
参考库存:32490
TSZU52C7V5 RGG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 7.5 Volt 150mW 10%
1:¥2.5312
10:¥2.3052
100:¥1.3108
1,000:¥0.47686
4,000:¥0.42262
8,000:查看
参考库存:32493
SS24L R3
Taiwan Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,40V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.4578
10:¥2.4634
100:¥1.6159
500:¥0.9605
1,800:¥0.64523
9,000:查看
参考库存:32496
1N4937G-K R1G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 Diode, 1A, 600V DO-204AL (DO-41)
1:¥2.3843
10:¥2.147
100:¥1.2204
1,000:¥0.44522
5,000:¥0.39211
参考库存:32499
TSZU52C3V6 RGG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 3.6 Volt 150mW 10%
1:¥2.5312
10:¥2.3052
100:¥1.3108
1,000:¥0.47686
4,000:¥0.42262
8,000:查看
参考库存:32502
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