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分立半导体
RN4983FE,LF(CT参考图片

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RN4983FE,LF(CT

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
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数量单价合计
1
¥2.2261
2.2261
10
¥1.4238
14.238
100
¥0.5989
59.89
1,000
¥0.4068
406.8
4,000
¥0.30736
1229.44
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
是
晶体管极性
NPN, PNP
典型输入电阻器
22 kOhms
典型电阻器比率
1
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-563
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
Pd-功率耗散
100 mW
系列
RN4983
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
商标
Toshiba
通道数量
2 Channel
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
3 mg
商品其它信息
优势价格，RN4983FE,LF(CT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
A1P35S12M3
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥301.1337
5:¥294.4554
10:¥281.0084
25:¥269.2451
参考库存:2640
FP150R12KT4_B11
Infineon / IR
分立半导体
IGBT 模块
1:¥1,910.4684
5:¥1,864.4435
10:¥1,818.1926
25:¥1,792.6772
参考库存:2572
SUM50020E-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 60V Vds TrenchFET TO-220AB
1:¥22.4418
10:¥18.5998
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:3350
IPP60R145CFD7XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:2784
PMCM4401UNEZ
Nexperia
分立半导体
MOSFET MOS Discretes WLCSP
1:¥3.2318
10:¥2.4295
100:¥1.3221
1,000:¥0.99101
参考库存:5179
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