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分立半导体
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IRL530NPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 17A 22.7nC 100mOhm LogLvAB
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¥7.5258
7.5258
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
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2192.2
1,000
¥3.4578
3457.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
22.7 nC
Pd-功率耗散
79 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001578734
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N5806C.TR
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