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分立半导体
TK7A90E,S4X参考图片

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TK7A90E,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
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库存：4,650(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.0628
13.0628
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.345
3672.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK7A90E
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
55 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，TK7A90E,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN1N5617/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
169:¥46.4882
250:¥42.7253
500:¥38.9624
1,000:¥33.9678
参考库存:50734
CDLL5536/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥50.2511
142:¥50.2511
200:¥46.1831
500:¥42.1038
1,000:¥36.6572
参考库存:50737
JAN1N5419/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥85.5184
250:¥77.9926
500:¥72.998
1,000:¥66.9299
参考库存:50740
JAN1N3018B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥86.8292
200:¥79.1452
500:¥74.0715
1,000:¥67.9243
参考库存:50743
JAN1N4617UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥67.3141
117:¥67.3141
200:¥61.8562
500:¥56.3983
1,000:¥49.0985
参考库存:50746
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