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分立半导体
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BSP135H6433XTMA1

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数量单价合计
1
¥9.0626
9.0626
10
¥7.7631
77.631
100
¥5.9664
596.64
500
¥5.2658
2632.9
1,000
¥4.1697
4169.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 mA
Rds On-漏源导通电阻
60 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP135
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
0.16 S
下降时间
182 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.6 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns
零件号别名
BSP135 H6433 SP001058592
单位重量
112 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥1.13
1,000:¥0.86784
3,000:¥0.73789
参考库存:5253
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