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分立半导体
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FP50R06W2E3

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数量单价合计
1
¥373.1373
373.1373
5
¥364.8318
1824.159
10
¥348.1643
3481.643
25
¥333.5647
8339.1175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
在25 C的连续集电极电流
65 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
175 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
15
子类别
IGBTs
零件号别名
FP50R06W2E3BOMA1 SP000375909
单位重量
39 g
商品其它信息
优势价格,FP50R06W2E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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3,000:¥1.1639
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24,000:¥1.02943
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稳压二极管 350mW ZENER
3,000:¥0.4068
9,000:¥0.34578
24,000:¥0.32996
45,000:¥0.30736
99,000:¥0.26894
参考库存:20521
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP LOW SAT TRAN 40V 1A SCHOTTKY CMBO
3,000:¥2.7685
参考库存:20524
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