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分立半导体
PD85035STR1-E参考图片

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PD85035STR1-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic
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库存:36,813(价格仅供参考)
数量单价合计
600
¥181.8057
109083.42
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.9 dB
输出功率
35 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1 GHz
系列
PD85035-E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
95 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD85035STR1-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 VRM=400 IFSM=120
1:¥31.0411
10:¥26.8149
100:¥23.9786
250:¥22.3627
参考库存:4212
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SMD 10A 45V
1:¥12.9046
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
3,000:¥5.6048
6,000:查看
参考库存:4187
分立半导体
肖特基二极管与整流器 VR=40V, IO=1A
1:¥3.2318
10:¥2.0792
100:¥0.99892
1,000:¥0.61472
5,000:¥0.46104
参考库存:6007
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1A,30V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥3.2996
10:¥2.0001
100:¥1.3786
500:¥0.78422
1,800:¥0.50737
9,000:查看
参考库存:7612
分立半导体
整流器 Diode, 1A, 600V DO-204AL (DO-41)
1:¥2.3843
10:¥2.147
100:¥1.2204
1,000:¥0.44522
5,000:¥0.39211
参考库存:8438
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